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LONGPRO紅外輻射加熱器：半導(dǎo)體硅片均勻加熱的創(chuàng)新方案

日期：2024-11-04 09:31 瀏覽：50

在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造過(guò)程中，硅片（晶圓）的加熱工藝至關(guān)重要。為了滿(mǎn)足不同工藝對(duì)加熱的嚴(yán)格要求，研究和開(kāi)發(fā)出高效、均勻的加熱技術(shù)顯得尤為重要。紅外線輻射加熱技術(shù)作為一種新興的加熱方式，以其快速、均勻的加熱特性逐漸被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、電子元件制造及其他相關(guān)行業(yè)。

在晶圓加工中，主要涉及以下幾種加熱工藝：

1. 等離子體刻蝕（Plasma Etching）加熱

等離子體刻蝕是通過(guò)在晶圓表面形成等離子體來(lái)進(jìn)行的。這一過(guò)程利用氣體中的離子和電子與晶圓表面的相互作用，來(lái)實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的刻蝕。為了確?？涛g的均勻性，加熱需要在一個(gè)特定的環(huán)境中進(jìn)行，以便控制氣體的成分和狀態(tài)。

2. 光刻（Photolithography）加熱

光刻工藝涉及在晶圓表面覆蓋光刻膠，通過(guò)曝光和顯影后僅保留所需加工區(qū)域。這一過(guò)程中，晶圓需要放置在光刻機(jī)內(nèi)，利用紫外線照射使光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)所需的圖案加工。光刻加熱的均勻性直接影響到最終圖案的質(zhì)量和精度。

3. 熱退火（Annealing）加熱

熱退火是通過(guò)將晶圓置于高溫環(huán)境中，促使雜質(zhì)和缺陷擴(kuò)散并消除，以提升電學(xué)性能的過(guò)程。此工藝要求對(duì)加熱的溫度和時(shí)間進(jìn)行精確控制，以確保最佳的退火效果。

4. 化學(xué)氣相沉積（CVD）加熱

在CVD工藝中，晶圓被置于反應(yīng)室內(nèi)，通過(guò)加熱和化學(xué)反應(yīng)，使氣態(tài)物質(zhì)沉積到晶圓表面，形成薄膜或微結(jié)構(gòu)。這一過(guò)程同樣要求對(duì)反應(yīng)室的溫度和氣體流量進(jìn)行精確控制，以確保沉積的均勻性和質(zhì)量。

LONGPRO硅片均勻加熱技術(shù)方案

為了滿(mǎn)足上述不同工藝對(duì)加熱的需求，LONGPRO開(kāi)發(fā)了紅外線輻射加熱器，基于深入的研究和優(yōu)化，形成了一套高效的硅片均勻加熱技術(shù)方案。紅外線輻射加熱器經(jīng)過(guò)朗普紅外線加熱數(shù)據(jù)庫(kù)以及光學(xué)運(yùn)算，優(yōu)化了熱源燈絲內(nèi)部發(fā)光體結(jié)構(gòu)、反光板結(jié)構(gòu)以及圓形/矩陣布燈，使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量，有效降低了溫度不均帶來(lái)的不良工藝質(zhì)量問(wèn)題。因此，在電池制造業(yè)，半導(dǎo)體制造、電子元器件制造、陶瓷加工等行業(yè)中，紅外線輻射加熱器被廣泛應(yīng)用。

半導(dǎo)體硅片（晶圓）加熱.jpg

1. 優(yōu)化光源和反光鏡設(shè)計(jì)

通過(guò)優(yōu)化光源和反光鏡的輻照能量分布場(chǎng)，紅外加熱器能夠形成均一的加熱場(chǎng)，顯著減少了中間聚熱和邊緣冷卻導(dǎo)致的溫度不均勻問(wèn)題。這種均勻加熱不僅提高了工藝的穩(wěn)定性，還降低了因溫度波動(dòng)引起的工藝質(zhì)量問(wèn)題。

2. 量化光源布置

依托于朗普紅外線加熱數(shù)據(jù)庫(kù)及光學(xué)運(yùn)算，ONGPRO能夠精確計(jì)算出陣列布燈的數(shù)量和布置距離。這種量化設(shè)計(jì)確保了加熱區(qū)域的最佳覆蓋，從而進(jìn)一步提升加熱均勻性。

3. 反光鏡的修正

通過(guò)對(duì)反光鏡的精細(xì)修正，進(jìn)一步優(yōu)化了輻照?qǐng)龅木鶆蚨?。這一技術(shù)細(xì)節(jié)在高精度要求的半導(dǎo)體加工中尤為重要，能夠有效降低因熱場(chǎng)不均引起的加工誤差。

4. 閉環(huán)控制系統(tǒng)

采用電控系統(tǒng)和非接觸式測(cè)溫探頭，LONGPRO的紅外加熱器實(shí)現(xiàn)了閉環(huán)控制。這種控制方式能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)加熱過(guò)程中的溫度變化，及時(shí)調(diào)整加熱輸出，減少因溫度過(guò)沖或不足導(dǎo)致的工藝問(wèn)題，確保加熱過(guò)程的穩(wěn)定性和可靠性。

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，制造工藝對(duì)加熱技術(shù)的要求也在不斷提高。紅外線輻射加熱器憑借其優(yōu)越的均勻加熱性能，正逐漸成為各種加熱工藝的首選方案。LONGPRO的硅片均勻加熱技術(shù)不僅提升了生產(chǎn)效率，也為未來(lái)半導(dǎo)體和相關(guān)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新提供了強(qiáng)有力的支持。通過(guò)不斷的技術(shù)優(yōu)化和創(chuàng)新，紅外均勻加熱將在更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)其巨大潛力。